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蔡司場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡Crossbeam 500場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡

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蔡司場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡Crossbeam500場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡為您進(jìn)行要求苛刻的材料表征并選擇適合您的樣品尺寸——標(biāo)準(zhǔn)尺寸或大尺寸

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蔡司場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡Crossbeam 500場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡為您進(jìn)行要求苛刻的材料表征并選擇適合您的樣品尺寸——標(biāo)準(zhǔn)尺寸或大尺寸。Gemini 2電子光學(xué)系統(tǒng)即使在低電壓和高束流條件下亦可提供高分辨率。如需在高束流條件下獲得高分辨率圖像以及進(jìn)行快速分析，這無(wú)疑是您的理想之選。

使您的掃描電鏡具備強(qiáng)大的洞察力
通過(guò)樣品臺(tái)減速技術(shù)（Tandem decel，新型蔡司Gemini電子光學(xué)系統(tǒng)的一項(xiàng)功能）實(shí)現(xiàn)低電壓電子束分辨率提升高達(dá)30%。
使用Gemini電子光學(xué)系統(tǒng)，您可以從高分辨率掃描電鏡（SEM）圖像中獲取真實(shí)的樣品信息。
在進(jìn)行高度靈敏表面二維成像或三維斷層成像時(shí)，您可以信賴蔡司雙束電鏡Crossbeam系列的性能。
即使在使用非常低的加速電壓時(shí)也可獲得高分辨率、高對(duì)比度和高信噪比的清晰圖像。
借助一系列的探測(cè)器實(shí)現(xiàn)樣品的表征；使用的Inlens EsB探測(cè)器獲得更純的材料成分襯度。
使用低電壓表征不導(dǎo)電樣品，消除荷電效應(yīng)的影響。

提升您的聚焦離子束（FIB）樣品制備效率
得益于智能聚焦離子束（FIB）的掃描策略，移除材料相比以往實(shí)驗(yàn)快40%以上。
鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor采用了全新的加工方式：盡可能減少樣品損傷，提升樣品質(zhì)量，從而加快實(shí)驗(yàn)進(jìn)程。
使用高達(dá)100 nA的離子束束流，高效而**地處理樣品，并保持高分辨率。
制備TEM樣品時(shí)，請(qǐng)使用鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor的低電壓功能：獲得超薄樣品的同時(shí)，盡可能降低非晶化損傷。