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DAPDNIR 5x5 Array探測器

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產(chǎn)品簡介

每個(gè)1550系列5x5近紅外光電探測器使用密封的定制封裝，分別連接到專用的外部引線。Amplification近紅外探測器陣列由25個(gè)探測器組成，排列成5乘5的陣列配置，中心到中心的間距為100μm，總探測面積為0.5mm*0.5mm

詳細(xì)介紹

DAPDNIR 5x5 Array探測器，5×5陣列，950~1650nm，具有溫度穩(wěn)定功能

近紅外銦鎵砷探測器陣列的主要特點(diǎn)：

-5×5陣列近紅外探測器采用In0.47Ga0.53As吸收器設(shè)計(jì)，可在950nm至1650nm的寬波長范圍內(nèi)工作

-設(shè)計(jì)用于在各種環(huán)境溫度下運(yùn)行，其中使用低功率兩級熱電冷卻器冷卻陣列溫度

-針對0.1ns至20ns激光雷達(dá)脈沖檢測的定制設(shè)計(jì)，具有高達(dá)50MHz的高重復(fù)頻率

- NIR InGaAs光子探測器陣列具有的偏置電壓穩(wěn)定性

-每光子約75,000電子的高增益，足夠高以允許50Ω射頻前置放大器；無需進(jìn)行跨阻抗匹配

-低噪聲因子

美國Amplification Technologies近紅外離散放大光子探測器陣列（DAPD：Discrete Amplification Photon Detector）5×5陣列近紅外探測器，具有溫度穩(wěn)定功能。Amplification1550系列5x5近紅外光電探測器可實(shí)現(xiàn)近紅外光譜響應(yīng)，950nm至1650nm、高速自淬火近紅外銦鎵砷探測器5x5 Array，轉(zhuǎn)為3D激光雷達(dá)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。DAPDNIR 5x5 Array探測器利用了Amplification Technologies開發(fā)和獲得的突破性離散放大方法，該方法使用多通道放大和單片集成負(fù)反饋雪崩機(jī)制來放大低電平電信號。離散放大技術(shù)具有內(nèi)部放大功能，可提供非常高的增益（約100,000），這與非常低的過量噪聲系數(shù)（低于1.05）和快速響應(yīng)（上升時(shí)間快于0.6ns）相結(jié)合。這些特性使NIR陣列式光電探測器DAPD能夠檢測單光子，并優(yōu)化極低光水平的檢測。

離散放大InGaAs光子探測器陣列采用KOVAR材料制成的密封包裝，其中包括一個(gè)低功率兩級熱電冷卻器（TEC）和一個(gè)熱敏電阻。該包裝允許Amplification探測器在寬環(huán)境溫度范圍內(nèi)工作，同時(shí)使1550系列5x5探測器陣列保持在-50°C的穩(wěn)定溫度，前提是在近紅外銦鎵砷探測器5x5 Array包裝底部進(jìn)行適當(dāng)?shù)纳帷?

NIR陣列式光電探測器主要應(yīng)用：

1550系列5x5近紅外光電探測器系列設(shè)計(jì)用于激光雷達(dá)系統(tǒng)、三維激光雷達(dá)成像和環(huán)境監(jiān)測應(yīng)用。該NIR InGaAs光子探測器陣列針對0.5ns至20ns的激光脈沖長度進(jìn)行了優(yōu)化。25個(gè)探測器中的每個(gè)探測器都分別連接到封裝中的專用引腳，在封裝的四面都有公共陰極連接。能夠連接到25個(gè)像素中的任何一個(gè)提供了多個(gè)級別的靈活性。例如，離散放大InGaAs光子探測器陣列可以連接成四分之一配置或作為單個(gè)寬面積探測器。

NIR InGaAs探測器陣列作為50Ω系統(tǒng)的電子放大提供了額外的設(shè)計(jì)功能靈活性，使用現(xiàn)成的50Ω電子放大。陣列設(shè)計(jì)為在脈沖檢測模式下以恒定偏置運(yùn)行，以連續(xù)模式運(yùn)行，進(jìn)一步降低了電氣系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，并提供了許多選項(xiàng)來將Amplification探測器陣列系統(tǒng)與模擬到數(shù)字采樣系統(tǒng)、幀抓取器等進(jìn)行集成。

Amplification近紅外探測器陣列的規(guī)格：

注：下表的近紅外銦鎵砷探測器陣列規(guī)格是在封裝環(huán)境溫度為-45°C時(shí)得出的；所有數(shù)值均為典型值。

參數(shù)	DAPDNIR 5x5 Array 1550 series 100 µm Pitch	單位
有效區(qū)域尺寸	500 by 500	µm²
有效區(qū)域單像素	90 by 90	µm²
像素?cái)?shù)	25	-
光子檢測效率@1064nm (PDE)¹	15	%
光譜響應(yīng)范圍（λ）	950-1650	nm
單光電子增益 (M)	1x10⁵	-
過量噪聲系數(shù)	1.05	-
暗計(jì)數(shù)率（單像素）	4	MHZ
工作偏置	50-70	V
上升時(shí)間（10%- 90%）	600	ps
單放大通道恢復(fù)時(shí)間（-35℃時(shí)）	50	ns
額定值
損傷閾值	0.5	nJ
工作電流（反向偏置）	50	μA
工作電壓	-(V_op+4)²	V