上海巨納科技有限公司
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：二硫化鈮晶體 2H-NbS2（Niobium Disulfide）晶體尺寸：2毫米電學(xué)性能：金屬，superconductor （Tc~6K）, ch...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-11 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：三硫化鈮晶體（99.995%） NbS3晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaT...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-11 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：三硫化鐵（磷摻雜）晶體（99.995%） FePS3晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,Nb...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-11 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：三硫化錳（磷摻雜）晶體（99.995%） MnPS3晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,Nb...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-11 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：三硫化鎳（磷摻雜）晶體（99.995%） NiPS3晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,Nb...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-11 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：硫磷化銅（銦摻雜）晶體（99.995%） CuInP2S6晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：As2S3 comes in perfect 2:3 stoichiometry.
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Bismuth sulfide （Bi?S?） Developed at our facilities in the last five （5） ye...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Bismuth Telluride Sulfide （Bi?Te?.?S?.?） is developed at our facilities.
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Niobium atoms are perfectly incorporated into ReS? matrix.
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：CuS is a member of metal chalcogenides （see our GaSe and GaTe products）.
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Our MoWS2 alloys with the chemical formula MoxW（1-x）S2 crystals perfectly c...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Rhenium atoms perfectly incorporated into MoS? matrix.
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Molybdenum atoms perfectly incorporated into ReS2 matrix.
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Niobium atoms are perfectly incorporated into ReS? matrix.
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Our newest class of material: Sb2xAs2（1-x）S3 comes in perfect 1:1:3 stoichi...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Synthetic MoS2 crystals have been I2 （iodine） intercalated to achieve p-typ...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：High purtiy WS2 crystals have been I2 （iodine） intercalated to achieve p-ty...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Natural MoS2 is an indirect gap semiconductor （1.2 eV） but becomes highly l...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Tungsten disulfide （2H-WS2） crystals are extremely rare in nature and are l...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-10 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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