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詳細(xì)摘要： 簡要描述：二硒化鋯晶體 ZrSe2 （Zirconium Selenide）晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.37...
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：晶體尺寸：亞毫米大小電學(xué)特性：金屬晶體結(jié)構(gòu)：單斜晶系晶胞參數(shù)：a = 1.217nm，B = 0.3688nm，C = 0.8381nm，α=γ= 9...
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：晶體尺寸：8毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：單斜磷晶胞參數(shù)：a = 0.541nm，B = 0.375nm，C = 0.944nm，α=γ= 90#17...
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：三硒化鋯晶體（99.995%） ZrSe3 （Zirconium Triselenide）晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：單斜晶系晶胞參數(shù)...
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：二硒化鉬晶體 2H-MoSe2（Molybdenum Diselenide）-N型晶體尺寸：~10毫米電學(xué)特性：N型半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a...
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：硒化銦晶體（99.995%） InSe晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTe...
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：二硒化鎢晶體 WSe2（Tungsten Diselenide）-P型晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體，P型晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b ...
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：二硒化鎢鈀晶體（99.995%） PdSe2晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,G...
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：硒化鎢晶體（硫摻雜）（99.995%） WSSe晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3...
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：三硒化錳（磷摻雜）晶體（99.995%） MnPSe3晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,N...
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：Bismuth Selenide （Bi?Se?） Developed at our facilities since early 2011 to o...
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：World record size single crystal SnSe? （Tin diselenide） crystals are develo...
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：Niobium atoms are perfectly incorporated into ReSe? matrix.
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：Our MoWSe2 alloys with the chemical formula MoxW（1-x）Se2 crystals perfectly...
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：Superconductivity in monolayers. Currently, 2D aspect of this material rema...
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：Niobium atoms are perfectly incorporated into ReSe? matrix.
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：High purtiy WSe2 crystals have been I2 （iodine） intercalated to achieve p-t...
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：In the bulk form （TlSe）, Thalium selenide, has band-gap at around 0.7 eV an...
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詳細(xì)摘要： 簡要描述：World's first commercially available PbGa2Se4 crystals!
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