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硒化鍺晶體（百分之99.995）GeSe

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更新時(shí)間：2024-02-13 16:03:55瀏覽次數(shù)：174次

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簡(jiǎn)要描述：硒化鍺晶體 GeSe （Germanium Selenide）晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：斜方晶系晶胞參數(shù)：a = 0.383 nm, b = 0.440 nm, c = 1.078 nm, α = β = γ = 90#176;晶體類(lèi)型：合成晶體純度：＞99.995%

詳細(xì)介紹

硒化鍺晶體 GeSe (Germanium Selenide)
晶體尺寸：~10毫米
電學(xué)性能：半導(dǎo)體
晶體結(jié)構(gòu)：斜方晶系
晶胞參數(shù)：a = 0.383 nm, b = 0.440 nm, c = 1.078 nm, α = β = γ = 90°
晶體類(lèi)型：合成
晶體純度：＞99.995%

X-ray diffraction on a GeSe single crystal aligned along the (100) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 4 XRD peaks correspond, from left to right, to (h00) with h = 2, 4, 6, 8