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更新時(shí)間:2022-12-08 16:13:39瀏覽次數(shù):313次
聯(lián)系我時(shí),請告知來自 環(huán)保在線本設(shè)備采用PLC控制,觸摸顯示屏操作
本設(shè)備采用PLC控制,觸摸顯示屏操作。其數(shù)字化參數(shù)界面和自動化操作方式為用戶提供了優(yōu)良的研發(fā)和生產(chǎn)平臺。
設(shè)備通過對真空系統(tǒng)、下游壓力閉環(huán)控制、射頻電源、氣體流量及工藝過程的自動控制,以及所具有的安全互鎖、智能監(jiān)控、在線狀態(tài)記憶、斷點(diǎn)保護(hù)等功能。從而獲得較高的刻蝕速率,并能精確地控制圖形的剖面。使設(shè)備的安全性、重復(fù)性、穩(wěn)定性、可靠性得到有效保證。
本設(shè)備主要用于微電子、光電子、通訊、微機(jī)械等領(lǐng)域的器件研發(fā)和制造。
產(chǎn)品主要性能指標(biāo)
型號 | ICP-2B | ICP-500 | ICP-5100 | |
真空系統(tǒng) | 分子泵機(jī)組 | 進(jìn)樣室:機(jī)械泵系統(tǒng);刻蝕室:分子泵機(jī)組 | ||
刻蝕室數(shù)量 | 單室 | |||
刻蝕室規(guī)格 | ?300× | |||
電極尺寸 | ? | |||
刻蝕材料 | Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等 | |||
刻蝕速率 | 0.1 – 1 μ/min (與刻蝕材料和工藝有關(guān)) | |||
刻蝕不均勻性 | ≤±5% | |||
深硅刻蝕控制單元 | 可選 | |||
自動化程度 | 真空系統(tǒng)、下游壓力閉環(huán)控制、射頻電源、氣體流量、工藝過程全自動控制。 | 真空系統(tǒng)、機(jī)械手送/取樣片、下游壓力閉環(huán)控制、射頻電源、氣體流量、工藝過程全自動控制。 | ||
人機(jī)界面 | Windows環(huán)境、觸摸屏操作 | |||
操作方式 | 手動 | 全自動方式、非全自動方式 | ||
配套件選配 | 可選擇進(jìn)口件或國產(chǎn)件 |
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