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昆山友碩新材料有限公司
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更新時間：2024-02-06 09:38:19瀏覽次數(shù)：208次
聯(lián)系我時，請告知來自 環(huán)保在線蔡司GeminiSEM系列高對比度、低電壓成像的場發(fā)射掃描電子顯微鏡 具有出色的探測效率，能夠輕松地實現(xiàn)亞納米分辨成像。無論是在高真空還是在可變壓力模式下，更高的表面細節(jié)信息靈
蔡司GeminiSEM系列高對比度、低電壓成像的場發(fā)射掃描電子顯微鏡
具有出色的探測效率，能夠輕松地實現(xiàn)亞納米分辨成像。無論是在高真空還是在可變壓力模式下，更高的表面細節(jié)信息靈敏度讓您在對任意樣品進行成像和分析時都具備更佳的靈活性，為您在材料科學研究、生命科學研究、工業(yè)實驗室或是顯微成像平臺中獲取各種類型樣品在微觀世界中清晰、真實的圖像，提供靈活、可靠的場發(fā)射掃描電子顯微鏡技術和方案。
運用GeminiSEM系列產(chǎn)品，您可輕松獲取真實世界中任意樣品出色的圖像和可靠的分析結果
GeminiSEM 500 具有出色的分辨率，在較低的加速電壓下仍可呈現(xiàn)給您更強的信號和更豐富的細節(jié)信息，其創(chuàng)新設計的NanoVP可變壓力模式，甚至讓您在使用時擁有在高真空模式下工作的感覺;
GeminiSEM 450 具有出色的易用性設計、更快的響應和更高的表面靈敏度，使其能快速、靈活、可靠地對樣品進行表面成像和分析，充當您的得力助手;
GeminiSEM 300 具有出色的分辨率、更高的襯度和更大且無畸變的成像視野，可方便地選取適合樣品的真空度等環(huán)境參數(shù)，使FESEM初學者也能快速掌握;
更強的信號，更豐富的細節(jié)
GeminiSEM 500 為您呈現(xiàn)任意樣品表面更強的信號和更豐富的細節(jié)信息，尤其在低的加速電壓下，在避免樣品損傷的同時快速地獲取更高清晰度的圖像。
經(jīng)優(yōu)化和增強的Inlens探測器可高效地采集信號，助您快速地獲取清晰的圖像，并使樣品損傷降至更低;
在低電壓下?lián)碛懈叩男旁氡群透叩囊r度，二次電子圖像分辨率1 kV達0.9nm，500 V達1.0 nm，無需樣品臺減速即可進行高質量的低電壓成像，為您呈現(xiàn)任意樣品在納米尺度上更豐富的細節(jié)信息;
應用樣品臺減速技術-(Tandem decel)，可在1 kV下獲得高達0.8nm二次電子圖像分辨率;
創(chuàng)新設計的可變壓力模式-NanoVP技術，讓您擁有身處在高真空模式下工作的感覺。
更高的速度與靈敏度，更好的成像和分析
GeminiSEM 450更快的響應和更高的表面靈敏度使其能快速、靈活、可靠地對樣品進行表面成像和分析，簡便、快速地進行EDS能譜和EBSD等分析，同時保持出色的空間分辨率，充當您的得力助手。
在EDS能譜和EBSD分析模式下仍保持高分辨率的成像，在低電壓條件下工作時更為優(yōu)異;
可快速地對樣品進行大范圍及高質量成像;
經(jīng)優(yōu)化的電子光學鏡筒，減少了工作過程中進行重新校準的復雜流程，節(jié)省成像時間，提高工作效率;
無論是不導電樣品、磁性樣品或是其他類型的樣品，無論是高真空或是可變壓力模式，均可實現(xiàn)快速和高質量的成像和分析;
更靈活的成像方式
無論是用戶還是初學者，GeminiSEM 300將讓您體驗到在更高的分辨率和更佳的襯度下進行*大視野范圍成像的樂趣，并且在高真空或是可變壓力模式下都可以實現(xiàn)。
得益于高效的信號采集系統(tǒng)和優(yōu)異的分辨率性能，可實現(xiàn)快速、高質量、無畸變的大范圍成像;
創(chuàng)新設計的高分辨率電子槍模式，為對磁性樣品、不導電樣品以及電子束敏感樣品的低電壓成像量身訂制解決方案;
蔡司獨樹一幟的鏡筒內(nèi)能量選擇背散射探測器，在低電壓下也可輕松地獲得高質量的樣品材料襯度圖像;
NanoVP技術讓您可以使用鏡筒內(nèi)Inlens二次電子探測器對要求苛刻的不導電樣品進行高靈敏度、高分辨成像。
| 基本規(guī)格 | 蔡司 GeminiSEM 500 | 蔡司 GeminiSEM 450 | 蔡司 GeminiSEM 300 |
|---|---|---|---|
| 熱場發(fā)射電子槍，穩(wěn)定性優(yōu)于0.2 %/h | |||
| 加速電壓 | 0.02 - 30 kV | ||
| 探針電流 | 3 pA - 20 nA | 3 pA - 40 nA | 3 pA - 20 nA |
| （100 nA配置可選） | （100 nA或300 nA配置可選） | （100 nA配置可選） | |
| 存儲分辨率 | 達32k × 24k 像素 | ||
| 放大倍率 | 50 – 2,000,000 | 12 – 2,000,000 | 12 – 2,000,000 |
| 標配探測器 | 鏡筒內(nèi)Inlens二次電子探測器 | ||
| 樣品室內(nèi)的Everhart Thornley二次電子探測器 | |||
| 可選配的 項目 | 鏡筒內(nèi)能量選擇背散射探測器 | ||
| - | 角度選擇背散射探測器 | 角度選擇背散射探測器 | |
| 環(huán)形STEM探測器（aSTEM 4） | |||
| EDS能譜儀 | |||
| EBSD探測器(背散射電子衍射) | |||
| NanoVP可變壓力模式 | |||
| 高效VPSE探測器（包含在NanoVP可變壓力選件中） | |||
| 局部電荷中和器 | |||
| 可訂制特殊功能樣品臺 | |||
| 環(huán)形背散射電子探測器 | |||
| 陰極射線熒光探測器 | |||
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