透射電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope,簡(jiǎn)稱TEM)，是一種以電子束為光源的基于電子顯微學(xué)的微觀物理結(jié)構(gòu)分析技術(shù)，分辨率最高可以達(dá)到0.1nm左右。TEM技術(shù)的出現(xiàn)，大大提高了人類(lèi)肉眼觀察顯微結(jié)構(gòu)的極限，是半導(dǎo)體領(lǐng)域不可少的顯微觀察設(shè)備，也是半導(dǎo)體領(lǐng)域工藝研發(fā)、量產(chǎn)工藝監(jiān)控、工藝異常分析等不能缺少的設(shè)備。
TEM在半導(dǎo)體領(lǐng)域具有非常廣泛的用途，如晶圓制造工藝分析、芯片失效分析、芯片逆向分析、鍍膜及刻蝕等半導(dǎo)體工藝分析等等，客戶群體遍布晶圓廠、封裝廠、芯片設(shè)計(jì)公司、半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)、材料研發(fā)、高?？蒲性核?。
01 TEM技術(shù)團(tuán)隊(duì)能力介紹
廣電計(jì)量的TEM技術(shù)團(tuán)隊(duì)由陳振博士牽頭，團(tuán)隊(duì)技術(shù)骨干的相關(guān)行業(yè)經(jīng)驗(yàn)均在5年以上，不僅具有豐富的TEM結(jié)果解析經(jīng)驗(yàn)，還具有豐富的FIB制樣經(jīng)驗(yàn)，具備7nm及以上先進(jìn)制程晶圓的分析能力及各種半導(dǎo)體器件關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的解析能力，目前服務(wù)的客戶遍布國(guó)內(nèi)的晶圓廠、封裝廠、芯片設(shè)計(jì)公司、高校科研院所等，并受到客戶廣泛的認(rèn)可。
02設(shè)備能力介紹
TEM設(shè)備
TEM型號(hào)：Talos F200X參數(shù)
1.電子槍?zhuān)篨-FEG
2.200Kv時(shí)亮度1.8*109 [A/cm2/Sr]
EDS探頭型號(hào)：Super-X
3.HRTEM信息分辨率：0.12 nm
HRSTEM分辨率：0.16 nm
TEM樣品制備設(shè)備DB FIB
DB FIB型號(hào)：Helios 5 CX參數(shù)
1.離子源：液態(tài)鎵離子源
2.EDS探頭型號(hào)/有效活區(qū)面積：
Ultim Max65/65mm2
3.離子束分辨率：2.5 nm@30Kv
4.電子束分辨率：1.0 nm@1.0 Kv,
0.6nm@15Kv
03TEM服務(wù)項(xiàng)目介紹
04關(guān)于陳振博士
陳振
無(wú)錫廣電計(jì)量副總經(jīng)理
復(fù)旦大學(xué)材料物理專(zhuān)業(yè)博士，上海市“科技創(chuàng)新行動(dòng)計(jì)劃"技術(shù)平臺(tái)負(fù)責(zé)人，無(wú)錫市發(fā)展改革研究中心決策咨詢專(zhuān)家，南京大學(xué)和西安電子科技大學(xué)碩士研究生兼職導(dǎo)師，上?！熬?qǐng)@工匠"、“嘉定技術(shù)能手"，負(fù)責(zé)的先進(jìn)制程芯片檢測(cè)項(xiàng)目入選“上海市檢驗(yàn)檢測(cè)創(chuàng)新案例"。
曾參與國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目2項(xiàng)，國(guó)家自然基金面上項(xiàng)目3項(xiàng)，國(guó)外高水平期刊發(fā)表SCI論文8篇，申請(qǐng)發(fā)明Z利1項(xiàng)，出版光電傳感器英文論著1部。
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