真空探針臺(tái)KT-Z160TZ，高溫真空腔探針系統(tǒng)主要用于為被測(cè)芯片提供一個(gè)低溫或者高溫的變溫測(cè)量環(huán)境，以便測(cè)量分析溫度變化時(shí)芯片性能參數(shù)的變化。腔體內(nèi)被測(cè)芯片在真空環(huán)境中有效避免易受氧化半導(dǎo)體器件接觸空氣所帶來的測(cè)試結(jié)果誤差。

詳細(xì)介紹

　　真空探針臺(tái)KT-Z160TZ主要應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)、光電行業(yè)、集成電路以及封裝的測(cè)試。探針臺(tái)從操作上來區(qū)分有：手動(dòng)，半自動(dòng)，全自動(dòng)從功能上來區(qū)分有：溫控探針臺(tái)，真空探針臺(tái)(低溫探針臺(tái))，RF探針臺(tái)，LCD平板探針臺(tái)，霍爾效應(yīng)探針臺(tái)，表面電阻率探針臺(tái)。普遍應(yīng)用于復(fù)雜、高速器件的精密電氣測(cè)量的研發(fā)，旨在確保質(zhì)量及可靠性，并縮減研發(fā)時(shí)間和器件制造工藝的成本。自動(dòng)探針測(cè)試臺(tái)在功能及組成上大同小異，即主要由x-y向工作臺(tái)，可編程承片臺(tái)、探卡/探卡支架、打點(diǎn)器、探邊器、操作手柄等組成

　　高低溫真空探針臺(tái)應(yīng)用：

　　可應(yīng)用于低溫或高溫真空環(huán)境下被測(cè)樣品的電學(xué)性能測(cè)試分析，如：半導(dǎo)體/微電子，電子，機(jī)電，物理，化學(xué)，材料，光電，納米，微機(jī)電/MEMS，生物芯片，航空航天等科學(xué)研究領(lǐng)域，以及IC設(shè)計(jì)/制造/測(cè)試/封裝、LED、LCD/OLED、LD/PD、PCB、FPC等生產(chǎn)制造領(lǐng)域。

　　· 結(jié)構(gòu)緊湊，適用于各種變溫測(cè)試

　　· -196℃~400℃（配液氮致冷模塊）

　　· 氣密腔室設(shè)計(jì)，可通保護(hù)氣氛

　　· 4探針，手動(dòng)定位（可擴(kuò)展為6個(gè)）

　　· 支持改動(dòng)或定制

真空探針臺(tái)KT-Z160TZ參數(shù)

真空腔體
腔體材質(zhì)	304不銹鋼
上蓋開啟	鉸鏈側(cè)開
加熱臺(tái)材質(zhì)	304不銹鋼
內(nèi)腔體尺寸	φ160x90mm
觀察窗尺寸	Φ70mm
加熱臺(tái)尺寸	φ60mm
觀察窗熱臺(tái)間距	75mm
加熱臺(tái)溫度	﹣196~400℃
加熱臺(tái)溫控誤差	±1℃
真空度	機(jī)械泵≤10Pa 分子泵≤10-3Pa
允許正壓	≤0.1MPa
真空抽氣口	KF25真空法蘭
氣體進(jìn)氣口	3mm-6mm卡套接頭
電信號(hào)接頭	SMA轉(zhuǎn)BNC X 4
電學(xué)性能	絕緣電阻 ≥4000MΩ 介質(zhì)耐壓 ≤500V
探針數(shù)量	4探針
探針材質(zhì)	鎢針
探針尖	10μm
探針移動(dòng)平臺(tái)
X軸移動(dòng)行程	30mm ±15mm
X軸控制精度	≤0.01mm
Y軸移動(dòng)行程	13mm ±12.5mm
Y軸控制精度	≤0.01mm
Z軸移動(dòng)行程	13mm ±12.5mm
Z軸控制精度	≤0.01mm
電子顯微鏡
顯微鏡類別	物鏡
物鏡倍數(shù)	0.7-4.5倍
工作間距	90mm
相機(jī)	sony 高清
像素	1920※1080像素
圖像接口	VGA
LED可調(diào)光源	有
顯示屏	8寸
放大倍數(shù)	19-135倍,視場(chǎng)范圍15×13-2.25×1.7mm，最小可分辨0.08mm