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更新時(shí)間:2025-05-20 16:21:41瀏覽次數(shù):26次
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RCA清洗機(jī)是半導(dǎo)體制造中用于晶圓表面潔凈處理的核心設(shè)備,基于標(biāo)準(zhǔn)RCA工藝(SC-1硫酸/雙氧水去有機(jī)物、SC-2氫氟酸去氧化層),通過化學(xué)濕法結(jié)合兆聲波或噴淋技術(shù),實(shí)現(xiàn)納米級(jí)顆粒、金屬污染及有機(jī)物的高效去除。
RCA清洗機(jī)是半導(dǎo)體制造中用于晶圓表面潔凈處理的關(guān)鍵設(shè)備,基于標(biāo)準(zhǔn)RCA工藝(SC-1硫酸/雙氧水去有機(jī)物、SC-2氫氟酸去氧化層),通過化學(xué)濕法結(jié)合兆聲波、噴淋或刷洗技術(shù),去除納米級(jí)顆粒、金屬污染及有機(jī)物殘留。其核心目標(biāo)為:
確保光刻、蝕刻等后續(xù)制程的良率;
避免缺陷(如顆粒、劃痕、金屬污染)影響芯片性能;
兼容制程(如EUV光刻、3D封裝)對(duì)潔凈度的嚴(yán)苛要求。
一、技術(shù)原理與工藝步驟
RCA工藝原理
DHF處理:高濃度氫氟酸(如50% HF)用于去除頑固氧化物;
兆聲波輔助:高頻聲波(MHz級(jí))增強(qiáng)空化效應(yīng),剝離深孔或窄縫中的顆粒。
SC-1清洗:硫酸(H?SO?)與雙氧水(H?O?)混合液,在高溫(80-120℃)下分解有機(jī)物(如光刻膠殘留),同時(shí)氧化金屬污染物(如Al、Cu)。
SC-2清洗:氫氟酸(HF)溶液腐蝕晶圓表面氧化層(SiO?),防止金屬氧化物堆積導(dǎo)致缺陷。
二、關(guān)鍵組成部分
機(jī)械結(jié)構(gòu)
腔體設(shè)計(jì):多槽模塊化(通常4-8槽),材質(zhì)為耐腐蝕PFA/PTFE,支持2-12英寸晶圓;
傳動(dòng)系統(tǒng):機(jī)械臂或旋轉(zhuǎn)盤精準(zhǔn)輸送晶圓,避免碰撞損傷;
干燥模塊:旋轉(zhuǎn)甩干(3000rpm)或真空干燥(<10Pa),部分型采用超臨界CO?干燥防水印。
液體供應(yīng)與循環(huán)系統(tǒng)
化學(xué)分配:自動(dòng)配比SC-1/SC-2溶液,實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)濃度(如HF在線傳感器);
過濾與回收:核殼式過濾器(0.1μm精度)循環(huán)酸液,降低耗材成本;
超純水系統(tǒng):18.2MΩ·cm DI水多級(jí)噴淋,杜絕二次污染。
控制系統(tǒng)
自動(dòng)化操作:PLC或工業(yè)計(jì)算機(jī)控制溫度、時(shí)間、流速,支持SECS/GEM協(xié)議對(duì)接產(chǎn)線;
數(shù)據(jù)追溯:記錄每片晶圓的清洗參數(shù)(如SC-1溫度、HF濃度),便于良率分析。
安全與環(huán)保模塊
防護(hù)裝置:防腐蝕護(hù)罩、緊急停機(jī)按鈕、酸堿泄漏傳感器;
廢氣處理:酸霧凈化塔(堿液噴淋)吸收HF、H?SO?霧氣,排放符合SEMI標(biāo)準(zhǔn);
廢液處理:中和系統(tǒng)調(diào)節(jié)pH至6-9,或集成蒸發(fā)濃縮技術(shù)減少危廢量。
三、性能指標(biāo)與選型要點(diǎn)
核心參數(shù)
潔凈度:顆粒新增量<10ea(@0.1μm),金屬污染(Fe/Cu等)<5ppb;
產(chǎn)能:全自動(dòng)機(jī)型處理150-300片/小時(shí)(視晶圓尺寸),半自動(dòng)機(jī)型50-100片/小時(shí);
均勻性:膜厚損失差異<5%(如Low-k介電層保護(hù))。
選型建議
制程(3nm以下):優(yōu)先選擇兆聲波+真空干燥的高配機(jī)型,支持低損傷無氟配方;
成熟制程(28nm以上):常規(guī)噴淋+刷洗組合即可滿足需求。
制程匹配:
缺陷管控:需配備在線檢測(cè)(如激光計(jì)數(shù)器、AFM)實(shí)時(shí)監(jiān)控顆粒與劃痕。
成本優(yōu)化:評(píng)估化學(xué)回收率(如90%以上)、耗材壽命(如PFA槽體耐腐蝕性>5年)。
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