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廣電計(jì)量檢測(cè)集團(tuán)股份有限公司

小型,臺(tái)式,板式電容PECVD

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  • 公司名稱北京維意真空技術(shù)應(yīng)用有限責(zé)任公司
  • 品       牌
  • 型       號(hào)
  • 所  在  地北京市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間2017/10/16 14:55:51
  • 訪問次數(shù)411
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公司名稱(現(xiàn)用名):北京維意真空技術(shù)應(yīng)用有限責(zé)任公司
公司名稱(曾用名):北京科立方真空技術(shù)應(yīng)用有限公司
覆蓋區(qū)域:北京、天津河北

    北京維意真空技術(shù)應(yīng)用有限責(zé)任公司,原名北京科立方真空技術(shù)應(yīng)用有限公司,創(chuàng)立于2013年,位于中國(guó)·首都北京密云經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū),主體經(jīng)營(yíng)分為真空配件銷售真空設(shè)備定制、淺藍(lán)納米科技三個(gè)部分,是北京從事真空產(chǎn)品設(shè)計(jì)、制造、銷售、維修、保養(yǎng)于一體的專業(yè)性的公司,公司擁有一支專業(yè)、優(yōu)秀的產(chǎn)品技術(shù)工程師和維修技術(shù)工程師,具有豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn),同時(shí)還與北京工業(yè)大學(xué)聯(lián)合研發(fā)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng),與北京交通大學(xué)聯(lián)合研發(fā)原子層沉積系統(tǒng),滿足高校、研究所的教學(xué)、科研使用,同時(shí)減少相關(guān)進(jìn)口設(shè)備的*,并力爭(zhēng)創(chuàng)造外匯,打出中國(guó)創(chuàng)造的!  

    我們的客戶遍布北京各高校研究院所、電力試驗(yàn)所、各級(jí)的材料、物理、化學(xué)、納米等研究領(lǐng)域*的實(shí)驗(yàn)室,期待您就是我們的下一位客戶、朋友!

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我們熱誠(chéng)歡迎國(guó)內(nèi)外*的儀器制造商及科學(xué)工作者與我們聯(lián)系開展各層面的合作,打造成*的真空系統(tǒng)產(chǎn)品、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)和原子層沉積系統(tǒng)供應(yīng)商。

ALD設(shè)備,PECVD設(shè)備
化學(xué)氣象沉積(chemical vapor deposition,簡(jiǎn)稱CVD)是在一定的溫度條件下,混合氣體之間與基材表面相互作用,并且進(jìn)一步在基材表面形成金屬膜或者化合物薄膜,使材料表面改性,以達(dá)到耐磨,抗氧化、抗腐蝕性等性能,在電子,光學(xué),摩擦力學(xué),機(jī)械應(yīng)用方面有很多應(yīng)用。
小型,臺(tái)式,板式電容PECVD 產(chǎn)品信息

一、PECVD原理:
  化學(xué)氣象沉積(chemical vapor deposition,簡(jiǎn)稱CVD)是在一定的溫度條件下,混合氣體之間與基材表面相互作用,并且進(jìn)一步在基材表面形成金屬膜或者化合物薄膜,使材料表面改性,以達(dá)到耐磨,抗氧化、抗腐蝕性等性能,在電子,光學(xué),摩擦力學(xué),機(jī)械應(yīng)用方面有很多應(yīng)用。
 等離子化學(xué)氣象沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition,簡(jiǎn)稱PECVD)也叫做等離子體輔助化學(xué)氣象沉積(簡(jiǎn)稱PACVD)則是依靠等離子體中得電子的動(dòng)能去激活氣象得化學(xué)反應(yīng),由于等離子體是離子、電子、中性原子和分子的集合體,因此大量的能量存在于等離子的內(nèi)能之中。PECVD是冷等離子體,是通過低壓氣體放電而形成的,一般是在幾帕到幾百帕的低氣壓下,通過射頻、中頻等放電所產(chǎn)生。
 
二、PECVD的特點(diǎn):
   與常規(guī)的熱CVD比較,PECVD具有更多的優(yōu)點(diǎn)
     1、沉積溫度低:熱CVD的溫度一般高于600度,其應(yīng)用范圍非常有限,大部分只能用于實(shí)驗(yàn)功能,PECVD的沉積溫度可以降到200度以內(nèi),這是由于其內(nèi)能,也就是電子所具備的高能量所提供的。此優(yōu)點(diǎn)決定了其可以廣泛的應(yīng)用于各種金屬、半導(dǎo)體、電子等領(lǐng)域。
     2、沉積速率及均勻性得到提高:PECVD在輝光放電中所用的壓力比較低,反應(yīng)物中分子、原子等離子粒團(tuán)與電子之間的碰撞、散射、電離等作用增強(qiáng),膜層厚度的均勻性得到改善,針孔減少,組織致密,內(nèi)應(yīng)力少,不易產(chǎn)生微裂紋。
     3、可以獲得性能*的膜層:PECVD的輝光放電處于非平衡狀態(tài),及能量耗散狀態(tài),其沉積產(chǎn)物呈多樣性,可以獲得熱分解所不能得到的物質(zhì),zui典型的,熱分解甲烷得到石墨薄膜,PECVD則可以得到金剛石薄膜。
 
 三、公司設(shè)備特點(diǎn)
1、設(shè)備整體尺寸:550mm*550mm*1200mm(寬*深*高)
2、真空室尺寸:直徑70*高度110mm
3、平行板電極尺寸:直徑60mm
4、電極調(diào)節(jié):可調(diào)節(jié)
5、真空系統(tǒng):機(jī)械泵
6、極限真空度:1*10-3mabr。
7、濺射電源:射頻電源5KW
8、工藝匹配:手動(dòng)匹配
9、氣體控制:質(zhì)量流量控制器 2路
10、真空檢測(cè):電阻真空計(jì)
11、加熱系統(tǒng):熱電阻加熱 1.2KW
12、控制方式:手動(dòng)控制系統(tǒng)
 
 
四、PECVD設(shè)備的應(yīng)用
1、沉積DLC膜層:用與機(jī)械、電子、醫(yī)療等領(lǐng)域
2、沉積氮化硅:半導(dǎo)體行業(yè)、微電子行業(yè)
3、沉積TIN膜層:以及TIC等硬質(zhì)膜層,比離子鍍更光亮,更美觀
4、*管:CNTs是PECVD技術(shù)的一個(gè)新的應(yīng)用
5、太陽(yáng)能薄膜電池:非晶硅太陽(yáng)能電池的制備

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