四探針電阻率測試儀四探針電阻率測試儀
雙電測數(shù)字式四探針測試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設(shè)計符合單晶硅物理測試方法標(biāo)準(zhǔn)并參考美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換，進(jìn)行兩次電測量，對數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測分析，解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對測量結(jié)果的影響.
概述：采用四端測量法適用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門，實(shí)驗(yàn)室；是檢驗(yàn)和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的工具?？膳渲貌煌瑴y量裝置測試不同類型材料之電阻率。液晶顯示，溫度補(bǔ)償功能，自動量程，自動測量電阻，電阻率，電導(dǎo)率數(shù)據(jù)。恒流源輸出；選配：PC軟件過程數(shù)據(jù)處理和標(biāo)準(zhǔn)電阻校準(zhǔn)儀器，薄膜按鍵操作簡單，中文或英文兩種語言界面選擇，電位差計和電流計或數(shù)字電壓表，量程為1mVˉ100mV,分辨率為0.1%，直流輸入阻抗不小250μm的半球形或半徑為50 μm~125 μm的平的圓截面。探針(帶有彈簧及外引線)之間或探針系統(tǒng)其他部分之間的絕緣電照至少為10°Ω.探針排列和間距，四探針應(yīng)以等距離直線排列，探針閥距及針突狀況應(yīng)符合GB/T 552 中的規(guī)定。R=1(R +R, )…………………………(3)R2=與(R; +R，)計算試樣平均直徑D與平均操針間距S之比，由表3中查出修正因子F，也可以見GB/T11073中規(guī)定的幾何修正因子。 9.4計算幾何修正因子F，見式(4)。對于薄層厚度小于3μm的試樣，選用針尖半徑為100μm250μm的半球形探針或針尖率徑為50μm~125 pm平頭探針，針尖與試樣間壓力為0.3 Nˉ0.8Ni對于薄層厚度不小于3μ的試樣，選用針尖半徑為35μm100 pm 半球形操針，針尖與試樣間壓力不大于 0.3 N.Rr=V; R,/V=V/I,…… … R,=V,R,/V_=V,/I,-雙刀雙撐電位選擇開關(guān)。.定。歐嬌表，能指示阻值高達(dá)10°日的漏電阻，溫度針0℃-40℃，小刻度為0.1℃。光照、高頻、需動、強(qiáng)電磁場及溫醒度等測試環(huán)境會影響測試結(jié)果，甲醇、99.5%，干燥氮?dú)?。測量儀器探針系統(tǒng)操針為具有45"~150°角的圓罐形破化鴨振針，針實(shí)半徑分別為35μm~100μm.100 μm…… … ………(5)電壓表輸入阻抗會引入測試誤差，硅片幾何形狀，表面粘污等會影響測試結(jié)果，R(TD-R_xF式中:計算每一測量位置的平均電阻R.，見式(3).試劑優(yōu)級純，純水，25℃時電阻率大于2MN.cm,s=號(二[R，(TD-瓦(7D羽yt ..計算每一測量位置在所測溫度時的薄層電阻(可根據(jù)薄層電阻計算出對應(yīng)的電阻率并修正到23℃，具體見表4)見式(5).用干凈涂題顆子或吸筆將試樣置于樣品臺上，試樣放置的時間應(yīng)足夠長，到達(dá)熱平衡時，試樣溫度為23 ℃±1℃.接通電流，令其任一方向?yàn)檎?，調(diào)節(jié)電流大小見表1測量范圍電阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm方 阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□電 阻：1×10-5～2×105 Ω ，分辨率：1×10-6～1×102 Ω 材料尺寸(由選配測試臺決定和測試方式?jīng)Q定)直 徑：A圓測試臺直接測試方式 Φ15～130mm， 方測試臺直接測試方式180mm×180mm， 長(高)度：測試臺直接測試方式 H≤100mm, 測量方位: 軸向、徑向均可
4-1/2 位數(shù)字電壓表：
(1)量程： 20.00mV～2000mV
(2)誤差：±0.1%讀數(shù)±2 字
數(shù)控恒流源
(1)量程：0.1μA，1μA，10μA，100µA，1mA，10mA，100mA，1A
(2)誤差：±0.1%讀數(shù)±2 字
所給出的某一合適值，測量并記錄所得數(shù)據(jù)，所有測試數(shù)據(jù)至少應(yīng)取三位有效數(shù)字。改變電流方向，測量、記錄數(shù)據(jù)。關(guān)斷電流，搶起探針裝置，對仲裁測量，探針間距為1.59
