PicoFemto透射電鏡原位MEMS低溫電學(xué)樣品桿,是在標(biāo)配MEMS芯片樣品桿上集成低溫控制模塊,實(shí)現(xiàn)低溫電學(xué)測量或全溫區(qū)測量功能。
• 性能指標(biāo)
透射電子顯微鏡指標(biāo):
△ 兼容指定型號(hào)電鏡及極靴;
△ 單傾可選高傾角版本;
△ 可選雙傾版本,β角傾轉(zhuǎn)±25°(同時(shí)受限于極靴);
△ 測量電極數(shù)可選。
電學(xué)測量指標(biāo):
△ 包含一個(gè)電流電壓測試單元;
△ 電壓輸出±200 V,最小±100 nV;
△ 電流測量±1.5 A,最小100 fA;
△ 恒壓或者恒流模式;
△ 自動(dòng)電流-電壓(I-V)測量、電流-時(shí)間(I-t)測量,自動(dòng)保存。
低溫指標(biāo):
△ 兼容MEMS加熱及電學(xué)芯片;
△ 全溫區(qū)測量,溫度范圍:85 K- 380 K;
△ 控溫穩(wěn)定性:優(yōu)于±0.1 K;
△ 溫度連續(xù)可控
• 經(jīng)典案例
Nano Energy:北交大聯(lián)合過程所團(tuán)隊(duì)揭示N參雜空位缺陷可提高鋰離子電池中硅負(fù)極材料穩(wěn)
Nat. Commun. :浙江大學(xué)利用原位透射電鏡技術(shù)研究材料電脈沖塑性微觀起源
Nat. Commun. :北京大學(xué)利用原位TEM觀測電場調(diào)控孤立三重極性頂點(diǎn)的形核和移動(dòng)