等離子體修飾系統,利用澤攸自創(chuàng)的三溫區(qū)管式爐,通過氧氣輔助化學氣相沉積技術,在藍寶石襯底上外延生長了大尺寸、高質量的單層二硫化鉬薄膜。在生長過程中引入氧氣,不僅能夠有效的阻止三氧化鉬源中毒,降低形核密度,而且還能減小硫空位密度,從而實現了大尺寸單晶單層二硫化鉬的生長。
利用等離子體修飾系統,在自限生長的前提下,目前已實現了兩英寸晶圓級高質量單層二硫化鉬的外延生長(99%覆蓋度,成膜均勻),并通過改進轉移設備,實現了晶圓級薄膜的且襯底無損轉移。單層二硫化鉬薄膜均勻覆蓋在整個藍寶石襯底上,而且沒有縫隙,沒有重疊層。 薄膜由晶粒尺寸為 1 微米,相對取向為 60 º的晶粒拼接而成。成型薄膜只包含 60 º晶界。
• 等離子體修飾系統產品優(yōu)勢
△ 有效避免固態(tài)源中毒;
△ 成膜均勻性好;
△ 成膜面積大;
△ 快速、生長速度可控。