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IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀測(cè)試方法符合GB/T29332-2012/IEC 60747-9: 200 及GB4023-83 等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。采用計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果，并轉(zhuǎn)...

動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)該套測(cè)試設(shè)備主要可測(cè)試以下參數(shù)：適用于電流不超過(guò)1500A、電壓不超過(guò)3500V的IGBT開(kāi)關(guān)時(shí)間的測(cè)試。設(shè)備的相關(guān)電壓、電流等參數(shù)可根據(jù)客戶要...

IGBT功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀主機(jī)可執(zhí)行非破壞性的瞬態(tài)測(cè)量測(cè)試，包括對(duì)半導(dǎo)體器件絕緣柵雙極晶體管（IGBT），功率MOSFET，二極管，雙極型器件的測(cè)試頭。主機(jī)...

IGBT靜態(tài)測(cè)試儀作為精密儀器引進(jìn)項(xiàng)目，系統(tǒng)嚴(yán)格按照產(chǎn)品之標(biāo)準(zhǔn)，全部選用優(yōu)質(zhì)可靠的元器件。系統(tǒng)嚴(yán)格按照檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)試檢驗(yàn)，確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。所使用的各...

IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)該設(shè)備用于功率半導(dǎo)體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，以表征器件的動(dòng)態(tài)特性，通過(guò)特制測(cè)試夾具的連接，實(shí)現(xiàn)模塊的動(dòng)態(tài)...

華科智源專業(yè)提供IGBT測(cè)試系統(tǒng)，IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，IGBT模塊測(cè)試系統(tǒng)，提供IGBT單管及模塊的動(dòng)靜態(tài)測(cè)試儀，雪崩能量測(cè)試儀。該設(shè)備用于功率半導(dǎo)體模塊（...

華科智源大功率IGBT測(cè)試系統(tǒng)設(shè)備主要針對(duì)IGBT及MOS管的測(cè)試儀，適用于芯片設(shè)計(jì)，產(chǎn)線封裝測(cè)試及新能源汽車，風(fēng)力發(fā)電，地鐵交通等領(lǐng)域的大功率器件及模塊測(cè)試，...

華科智源大功率IGBT測(cè)試系統(tǒng)設(shè)備主要針對(duì)IGBT及MOS管的測(cè)試儀，適用于芯片設(shè)計(jì)，產(chǎn)線封裝測(cè)試及新能源汽車，風(fēng)力發(fā)電，地鐵交通等領(lǐng)域的大功率器件及模塊測(cè)試，...

華科智源大功率IGBT測(cè)試系統(tǒng)設(shè)備主要針對(duì)IGBT及MOS管的測(cè)試儀，適用于芯片設(shè)計(jì)，產(chǎn)線封裝測(cè)試及新能源汽車，風(fēng)力發(fā)電，地鐵交通等領(lǐng)域的大功率器件及模塊測(cè)試，...