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產(chǎn)品型號(hào)ITC55100
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地深圳市
更新時(shí)間：2020-02-10 15:04:00瀏覽次數(shù)：1040次
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雪崩能量測(cè)試儀功能指標(biāo)：
配置 | 測(cè)試范圍 | 測(cè)試參數(shù) | 條件 | 范圍 | |
電壓 | IGBTs | EAS/單脈沖雪崩能量 | VCE | 20V～4500V | 20~100V±3%±1V |
電流 | MOSFETs | EAR/重復(fù)脈沖雪崩能量 | Ic | 1mA～200A | 1mA～100mA±3%±0.1mA |
DIODEs | IAS/單脈沖雪崩電流 | Ea | 1J～2000J | 1J～100J±3%±1J | |
PAS/單脈沖雪崩功率 | IC檢測(cè) | 50mV/A（取決于傳感器） | |||
感性負(fù)載 | 10mH、20mH、40mH、80mH、160mH、 | ||||
重復(fù)間隙時(shí)間 | 1~60s可調(diào)（步進(jìn)1s） 重復(fù)次數(shù)：1~50次 | ||||
雪崩能量測(cè)試儀?測(cè)試模式
單脈沖松開(kāi)電感的開(kāi)關(guān)（UIS）
單脈沖雪崩應(yīng)力（EAS）
重復(fù)性雪崩能量（EAR）
重復(fù)脈沖故障（RPF）
執(zhí)行的測(cè)試
連續(xù)性測(cè)試裝置的插座和/或接觸
DC零柵極偏置漏 - 源泄漏測(cè)試
- 前，后的雪崩
功能設(shè)備測(cè)試
雪崩測(cè)試
特點(diǎn)
單路/雙路設(shè)備測(cè)試
N溝道，P溝道，混合
全固態(tài)切換 - 無(wú)需繼電器
更快的測(cè)試
電流范圍：0.1A至200A，0.1A步驟
雪崩電壓至2500V
觸摸屏程序進(jìn)入/控制
波形捕獲/顯示
內(nèi)部測(cè)試程序存儲(chǔ)（20個(gè)文件）
高速電感充電，減少了測(cè)試時(shí)間
可編程漏電測(cè)試電壓
前置/后置雪崩泄漏測(cè)試
雪崩折疊測(cè)試
多功能測(cè)試處理器控制
15硬件排序箱
改進(jìn)的電壓/電流精度
通過(guò)Flash下載軟件更新
高速RS-485 PTNet接口
控制參數(shù)輸入密碼
使用所有ITC電感負(fù)載箱
接口與ITC55MUX4 ITC55 RSF
內(nèi)置自我測(cè)試
請(qǐng)輸入賬號(hào)
請(qǐng)輸入密碼
請(qǐng)輸驗(yàn)證碼
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