目錄:盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司>>晶圓制造>> Post-CMP清洗設(shè)備
在線預(yù)清洗設(shè)備：
可實(shí)現(xiàn)37納米以下少于15個剩余顆?；?8納米以下
20-25個剩余顆粒
金屬污染可控制在1E+8（原子/平方厘米）以內(nèi)
當(dāng)配置4個腔體的時候，產(chǎn)能可達(dá)每小時35片晶圓
離線預(yù)清洗設(shè)備：
可實(shí)現(xiàn)37納米以下少于15個剩余顆?；?8納米以下
20-25個剩余顆粒
占地面積小
可配置四個裝載端口
占地面積小
可配置四或六個腔體，分別為兩個軟刷和兩個清洗腔體或兩個軟刷和四個清洗腔體
可實(shí)現(xiàn)37納米以下少于15個剩余顆?；?8納米以下20-25個剩余顆粒
產(chǎn)能可達(dá)每小時60片晶圓
(空格分隔,最多3個,單個標(biāo)簽最多10個字符)
5
環(huán)保在線