高溫樣品固定裝置產(chǎn)品概述：

高溫樣品固定裝置ProboStat技術(shù)參數(shù)：

總體設計：封閉套管一端固定在裝置上，套管外徑為40mm，長為30-1500px

樣品： 直徑為10-24mm的盤狀樣品，長為25-50mm棒狀樣品

電極數(shù)量：2、3或4 溫度：典型長時間加熱：<1400℃ 短時間加熱：<1600℃

氣體氛圍：氧化、惰性、還原、腐蝕； 潮濕或干燥； 低真空 10-2mbar到1個大氣壓（封閉的鋼管中為25bar）支持單氣室或雙氣室模式。

高級配置(Extensively furnished version)

l 不同直徑的盤狀樣品；

l 2-，3-，4 -電極設置；

l 4-點van der Pauw測量（用于測量任意形狀樣品的電阻率）；

l 棒狀樣品（4-點測量和Seebeck系數(shù)測量）；

l 電導率、阻抗譜、DC測量；

l 濃差電池、遷移數(shù)、透過率、燃料電池測試等。

常規(guī)配置(Normal version)

l 特定直徑（如12或20mm）的盤狀樣品；

l 2-、3-電極設置；

l 電導率、阻抗譜、DC測量；

l 濃差電池、遷移數(shù)、透過率、燃料電池測試等。

常規(guī)增強配置(Normal plus version)

l 包括常規(guī)配置和額外的備用消耗部件；

l 特定直徑（如12或20mm）的盤狀樣品；

l 2-、3-電極設置；

l 電導率、阻抗譜、DC測量；

l 濃差電池、遷移數(shù)、透過率、燃料電池測試等。

常規(guī)高電壓配置(High voltage normal version)

l 包括常規(guī)配置，但基座單元替換為高電壓（10kV）配置；

l 介電材料極化、故障測試、等離子體電極學等、使用2-電極設置；

l 特定直徑（如12或20mm）的盤狀樣品；

l 2-、3-電極設置；

l 電導率、阻抗譜、DC測量；

l 濃差電池、遷移數(shù)、透過率、燃料電池測試等。

迷你配置(Minimum version)

包括基座單元和一些核心部件，如樣品支撐管、套管和彈簧支撐。根據(jù)需要用到的試驗方法，熱電偶和電極連接需要額外購買或用戶自己組裝。

基座單元系統(tǒng)(Base unit system)

僅包括基座單元和少量插座，供接入電池內(nèi)部設備，用于保護用戶自有的配件和接頭不被劃傷。也適用于已有一套或多套設備的用戶大化利用各個配件來提高測量效率。

定制系統(tǒng)(Custom system)

如果以上配置方案不符合您的需求，我們可以根據(jù)您的需求為您推薦定制一套系統(tǒng)。歡迎垂詢。