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行業(yè)產(chǎn)品

  • 行業(yè)產(chǎn)品

上海巨納科技有限公司


經(jīng)營(yíng)模式:其他

商鋪產(chǎn)品:574條

所在地區(qū):

聯(lián)系人:袁文軍

  • 氧化石墨烯(進(jìn)口)

    詳細(xì)摘要: 簡(jiǎn)要描述:氧化石墨烯(進(jìn)口) Graphite Oxide用H法制備,水溶性好直徑:0.5~5um厚度:1~3nm

    產(chǎn)品型號(hào):ACSMaterial所在地:上海更新時(shí)間:2024-02-12 在線留言

  • 單層石墨烯(進(jìn)口)

    詳細(xì)摘要: 簡(jiǎn)要描述:?jiǎn)螌邮ㄟM(jìn)口) Single Layer Graphene高比表面積石墨烯制備方法:熱剝離還原與氫化還原BET比表面積(平方米/克):400~10...

    產(chǎn)品型號(hào):ACSMaterial所在地:上海更新時(shí)間:2024-02-12 在線留言

  • 石墨烯納米薄片(2~10nm)

    詳細(xì)摘要: 簡(jiǎn)要描述:石墨烯納米薄片(2~10nm) Graphene Nanoplatelets體積特性外觀:黑色和灰色粉末碳含量:>99.5%體積密度:0.10克/毫升...

    產(chǎn)品型號(hào):ACSMaterial所在地:上海更新時(shí)間:2024-02-12 在線留言

  • 單層石墨烯(進(jìn)口/10g)

    詳細(xì)摘要: 簡(jiǎn)要描述:?jiǎn)螌邮ㄊ┘易澹㏒ingle Layer Graphene (Graphene Factory)BET比表面積(平方米/克):650 ~ 75...

    產(chǎn)品型號(hào):ACSMaterial所在地:上海更新時(shí)間:2024-02-12 在線留言

  • 高比表面積氧化石墨烯

    詳細(xì)摘要: 簡(jiǎn)要描述:高比表面積氧化石墨烯 High Surface Area Graphene Oxide制備方法:改良的H法高表面積氧化石墨烯直徑:1 ~ 5um厚度:...

    產(chǎn)品型號(hào):ACSMaterial所在地:上海更新時(shí)間:2024-02-12 在線留言

  • 工業(yè)級(jí)石墨烯(10g)

    詳細(xì)摘要: 簡(jiǎn)要描述:工業(yè)級(jí)石墨烯 Industrial-Quality Graphene制備方法:熱剝離還原厚度(nm):≤3BET比表面積(平方米/克):~ 600電阻...

    產(chǎn)品型號(hào):ACSMaterial所在地:上海更新時(shí)間:2024-02-12 在線留言

  • 氮摻雜石墨烯粉末

    詳細(xì)摘要: 簡(jiǎn)要描述:氮摻雜石墨烯粉末 Nitrogen-doped Graphene PowderBET比表面積(平方米/克):500 ~ 700電導(dǎo)率(S/m)gt; ...

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  • 單層氧化石墨烯(H法/進(jìn)口)

    詳細(xì)摘要: 簡(jiǎn)要描述:?jiǎn)螌友趸℉法/進(jìn)口) Single Layer Graphene Oxide (H Method)制備方法:改良的H法直徑:1~5um厚度:0...

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  • 氧化石墨烯(S法/進(jìn)口)(S Method)

    詳細(xì)摘要: 簡(jiǎn)要描述:氧化石墨烯(S法/進(jìn)口) Graphene Oxide (S Method)制備方法:斯托登梅爾方法 外觀為灰綠色粉末直徑:1~5um厚度:0.8~1...

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  • 氧化石墨烯(S法/進(jìn)口)

    詳細(xì)摘要: 簡(jiǎn)要描述:氧化石墨烯(S法/進(jìn)口) Graphene Oxide (S Method)制備方法:斯托登梅爾方法外觀為灰綠色粉末直徑:1~5um厚度:0.8~1....

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  • 氧化石墨烯(美國(guó))

    詳細(xì)摘要: 簡(jiǎn)要描述:Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at ou...

    產(chǎn)品型號(hào):2D Semiconductor所在地:上海更新時(shí)間:2024-02-12 在線留言

  • 羧基石墨烯

    詳細(xì)摘要: 簡(jiǎn)要描述:Carboxyl (-COOH) functionalized graphene has been developed at our faciliti...

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  • 氟化石墨烯

    詳細(xì)摘要: 簡(jiǎn)要描述:Graphene fluoride has been developed our facilities. Carbon to Fluoride rat...

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  • 氮摻雜石墨烯 Nitrogen

    詳細(xì)摘要: 簡(jiǎn)要描述:Nitrogen doped graphene has been created at our facilities. Ideal for exfol...

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  • 石墨烯納米薄片(1~5nm)

    詳細(xì)摘要: 簡(jiǎn)要描述:制備方法:層間催化裂解法厚度:1~5nm直徑:~5um比表面積:90-130 m2/g外觀:黑色粉末制備方法:層間催化裂解法 厚度:1~5nm直徑:~...

    產(chǎn)品型號(hào):ACSMaterial所在地:上海更新時(shí)間:2024-02-11 在線留言

  • 石墨烯納米薄片(1~2nm)

    詳細(xì)摘要: 簡(jiǎn)要描述:制備方法:層間催化裂解法厚度:~2nm直徑:5~10um純度:98%含氧量:1.44%電導(dǎo)率:~2597 s/cm

    產(chǎn)品型號(hào):ACSMaterial所在地:上海更新時(shí)間:2024-02-11 在線留言

  • Carboxyl Graphene 羧基石墨烯

    詳細(xì)摘要: 簡(jiǎn)要描述:Carboxyl (-COOH) functionalized graphene has been developed at our faciliti...

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  • GO 氧化石墨烯 (Graphene Oxide)

    詳細(xì)摘要: 簡(jiǎn)要描述:Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at ou...

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  • Graphene Fluoride 氟化石墨烯

    詳細(xì)摘要: 簡(jiǎn)要描述:Graphene fluoride has been developed our facilities. Carbon to Fluoride rat...

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  • 氮摻雜石墨烯

    詳細(xì)摘要: 簡(jiǎn)要描述:Nitrogen doped graphene has been created at our facilities. Ideal for exfol...

    產(chǎn)品型號(hào):2D Semiconductor所在地:上海更新時(shí)間:2024-02-11 在線留言

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