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ICP-RIE 等離子體刻蝕機

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更新時間：2023-01-26 09:52:04瀏覽次數(shù)：768次

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產(chǎn)品簡介

ICP-RIESI500納米結(jié)構(gòu)低損傷刻蝕由于等離子的能量分布低，從而能實現(xiàn)低損傷刻蝕和納米結(jié)構(gòu)刻蝕

詳細介紹

ICP-RIE SI 500

 

納米結(jié)構(gòu)低損傷刻蝕 

由于等離子的能量分布低，從而能實現(xiàn)低損傷刻蝕和納米結(jié)構(gòu)刻蝕。 

簡單高速率刻蝕 

MEMS制造工藝中，Si材料光滑側(cè)壁的高速高選擇比刻蝕，可以很容易的通過室溫或低溫工藝實現(xiàn)。 

內(nèi)置ICP等離子源 

平板三螺旋天線（PTSA）等離子源是SENTECH的等離子工藝系統(tǒng)。PTSA能產(chǎn)生高密度低能量分布的等離子體。

在多種材料刻蝕工藝中都能實現(xiàn)高效率耦合及穩(wěn)定起輝 。

動態(tài)溫控 

襯底溫度設(shè)定和工藝過程中的穩(wěn)定性是影響刻蝕工藝質(zhì)量的重要因素。ICP襯底電極結(jié)合背面氦氣冷卻和溫度傳感器進行動態(tài)溫控，工藝溫度范圍為-150 °C 至 +400 °C。 

 

SENTECH面向高靈活性和高產(chǎn)能的刻蝕和沉積系統(tǒng)提供各種級別的自動化裝置，從預真空系統(tǒng)到6端口的多工藝腔室裝置。SI500可以作為多腔室工藝模塊。

 

 

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SI 500 

ICP等離子刻蝕機

真空樣品室/load-lock

裝載200mm晶圓

樣品溫度 -20 °C ~ 300 °C 

 

 

 

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SI 500C 

低溫ICP等離子刻蝕機

配置傳送腔和真空樣品室

樣品溫度 -150 °C ~ 400 °C 

 

 

 

 

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SI 500-RIE 

RIE等離子刻蝕機

智能氦氣背部冷卻刻蝕

電容耦合等離子源

可升級到ICP等離子源PTSA200

 

 

 

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SI 500-300 

ICP等離子刻蝕機

真空樣品室/load-lock

裝載300mm晶圓

 

 

 

 

 

關(guān)鍵詞：溫度傳感器 刻蝕機
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