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深圳九州工業(yè)品有限公司
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EC-80napson電阻測(cè)量?jī)x 電阻計(jì) 熱電阻
| 參考價(jià): | ￥ 260000 |
| 訂貨量: | 100臺(tái) |
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)- EC-80 產(chǎn)品型號(hào)
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訪問次數(shù)：581更新時(shí)間：2023-04-15 08:52:46
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
簡(jiǎn)單的測(cè)量?jī)x器，只需將樣品插入探頭之間即可測(cè)量
在電阻率/薄層電阻測(cè)量模式之間輕松切換
通過 JOG 撥盤輕松設(shè)置測(cè)量條件
*由于探頭為固定型，請(qǐng)?jiān)谫徺I前從多種類型中選擇一種。
產(chǎn)品介紹
napson電阻測(cè)量?jī)x 電阻計(jì) 熱電阻EC-80的介紹
napson電阻測(cè)量?jī)x 電阻計(jì) 熱電阻EC-80的介紹
產(chǎn)品特點(diǎn)
簡(jiǎn)單的測(cè)量?jī)x器，只需將樣品插入探頭之間即可測(cè)量
在電阻率/薄層電阻測(cè)量模式之間輕松切換
通過 JOG 撥盤輕松設(shè)置測(cè)量條件
*由于探頭為固定型，請(qǐng)?jiān)谫徺I前從多種類型中選擇一種。
測(cè)量規(guī)格
測(cè)量對(duì)象
半導(dǎo)體/太陽能電池材料（硅、多晶硅、SiC等）
新材料/功能材料（碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜（金屬、ITO等）
硅基外延、 ion Injection sample
化合物半導(dǎo)體相關(guān)（GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等）
其他（*請(qǐng)聯(lián)系我們）測(cè)量尺寸
~8 英寸或 ~156x156mm
測(cè)量范圍
[電阻率] 1m 至 200Ω?cm
（*所有探頭類型的總范圍/當(dāng)厚度為 500um 時(shí)）
[薄層電阻] 10m 至 3kΩ/sq
（*所有探頭類型的總范圍）*請(qǐng)參閱以下各探頭類型的測(cè)量范圍。
(1) 低：0.01 ～ 0.5Ω/□ (0.001 ～ 0.05Ω-cm)
(2) 中： 0.5 ～ 10Ω/□ (0.05 ～ 0.5Ω-cm)
(3) 高：10 ～ 1000Ω/square (0.5 ～ 60Ω-cm)
(4) S-High : 1000 to 3000Ω/square (60 to 200Ω-cm)
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