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特點:
制定zui jia的金屬堆棧完整性
“改進"寬窗口處理能力
強化蝕刻殘余物去除
清洗的掩膜減少化學(xué)殘留
超大規(guī)模集成電路(ULSI)級規(guī)格*進封裝清洗
工作溫度下蒸發(fā)速率低
應(yīng)用:
應(yīng)用EKC270™蝕刻后殘留物器廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體行業(yè),以滿足關(guān)鍵的清潔需求
從高深寬比MEMS器件100μm+ 到*進DRAM 的70nm集成的各個階段
下面列出了常見的應(yīng)用程序:
接觸清潔
金屬線清潔
TSV深硅穿孔清潔
鎢埋位線清洗
聚酰亞胺清洗
Pad清潔
MEMS清洗
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