一、設(shè)備定位與核心功能

6/8英寸全自動(dòng)槽式清洗機(jī)是專為半導(dǎo)體晶圓、光伏硅片及精密元器件設(shè)計(jì)的濕法清洗設(shè)備，覆蓋6英寸（150mm）和8英寸（200mm）晶圓尺寸。其核心功能是通過多槽化學(xué)濕法工藝，高效去除表面污染物（如光刻膠、蝕刻殘留、金屬離子、顆粒等），確保產(chǎn)品表面潔凈度與微觀結(jié)構(gòu)完整性，為光刻、沉積、封裝等后續(xù)制程提供高質(zhì)量基底。

二、突出特點(diǎn)

多槽模塊化設(shè)計(jì)

分區(qū)明確：典型配置包含預(yù)洗槽、主洗槽、漂洗槽和干燥槽，支持定制化工藝疊加（如SC1去顆粒、DHF去氧化層）。

獨(dú)立控溫：各槽體溫度精準(zhǔn)控制（±0.5℃），適配不同化學(xué)液反應(yīng)需求（如低溫HF腐蝕硅片）。

高效清洗技術(shù)

超聲波輔助：高頻空化效應(yīng)剝離深孔、窄縫中的頑固殘留物，提升復(fù)雜結(jié)構(gòu)清潔能力。

噴淋+浸泡結(jié)合：噴淋沖刷表面顆粒，搭配浸泡軟化膠體，實(shí)現(xiàn)均勻覆蓋與快速去污。

自動(dòng)化與兼容性

全自動(dòng)化傳輸：機(jī)械臂或傳送帶實(shí)現(xiàn)晶圓自動(dòng)上下料，兼容CASSETTE批處理（每小時(shí)處理120~200片）或單片模式。

工藝靈活：支持酸/堿/有機(jī)溶劑體系，適用于RCA清洗、光刻膠剝離、金屬污染控制等多種場(chǎng)景。

潔凈度與環(huán)保性

顆粒控制：0.1μm級(jí)過濾系統(tǒng)+液體循環(huán)管理，避免二次污染，表面顆粒殘留<10nm（符合Class 10標(biāo)準(zhǔn)）。

廢液處理：中和反應(yīng)+蒸餾回收（如IPA回收率>85%），降低危廢成本，符合環(huán)保法規(guī)。

三、核心優(yōu)勢(shì)

精準(zhǔn)工藝控制

實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)化學(xué)液濃度（pH/ORP傳感器）、流速（±1%精度），確保腐蝕速率均勻性，避免過蝕或殘留。

支持多配方存儲(chǔ)（≥200組Recipe），適配不同產(chǎn)品需求（如功率器件、MEMS傳感器）。

高性價(jià)比

相較于12英寸設(shè)備，6/8英寸機(jī)型占地更小、能耗更低（功率5~8kW），適合中小批量或研發(fā)線使用。

國(guó)產(chǎn)設(shè)備（如盛美、至純）具備成本優(yōu)勢(shì)，同時(shí)滿足國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控需求。

廣泛適用性

半導(dǎo)體領(lǐng)域：適用于功率IGBT、MOSFET、LED芯片制造，清除切割或蝕刻后的污染物。

光伏產(chǎn)業(yè)：硅片切割后漿料清洗，提升電池片轉(zhuǎn)換效率；PERC電池背面拋光處理。

其他領(lǐng)域：光學(xué)玻璃鍍膜前清洗去除等。

四、技術(shù)挑戰(zhàn)與選型建議

痛點(diǎn)：需平衡化學(xué)液選擇性（如保護(hù)鋁金屬不被腐蝕）與清洗效率，避免深孔結(jié)構(gòu)清潔不足。

選型要點(diǎn)：根據(jù)污染物類型（膠體/金屬/顆粒）選擇化學(xué)體系；優(yōu)先具備廢液回收功能的機(jī)型以降低運(yùn)營(yíng)成本

該設(shè)備憑借模塊化設(shè)計(jì)、高效清洗能力與低成本優(yōu)勢(shì)，成為6/8英寸晶圓生產(chǎn)線中保障良率與效率的關(guān)鍵工具，尤其適合制程配套、特色工藝開發(fā)及封裝需求。