在半導(dǎo)體制造中，8英寸晶圓作為主流尺寸之一，其表面潔凈度直接影響芯片性能與良率。8英寸槽式清洗設(shè)備專為中小規(guī)模晶圓廠設(shè)計(jì)，以多槽分段工藝、化學(xué)物理協(xié)同清洗、智能化控制為核心特點(diǎn)，成為提升8英寸晶圓清洗效率與潔凈度的關(guān)鍵設(shè)備。

一、核心特點(diǎn)

多槽模塊化設(shè)計(jì)，工藝靈活

采用4-6槽分段結(jié)構(gòu)（預(yù)洗→清洗→漂洗→干燥），獨(dú)立控溫（0-80℃±1℃）與計(jì)時(shí)，避免交叉污染。

兼容酸性（HF/HCL）與堿性（NH?OH/KOH）清洗液，支持RCA標(biāo)準(zhǔn)配方及定制化工藝，滿足光刻膠去除、氧化物腐蝕、顆粒清洗等需求。

高效均勻清洗，無(wú)損晶圓

超聲波強(qiáng)化：20/40kHz高頻振動(dòng)剝離頑固顆粒，配合噴淋噴射實(shí)現(xiàn)表面均勻覆蓋，清潔效率提升30%。

非接觸式處理：避免機(jī)械摩擦損傷晶圓表面，適用于8英寸薄片、蝕刻后脆弱結(jié)構(gòu)等敏感工藝。

精準(zhǔn)污染控制，潔凈度達(dá)Class 10

清除≤0.1μm顆粒及納米級(jí)有機(jī)物殘留，表面粗糙度Ra<0.5nm，保障后續(xù)光刻/沉積良率。

可選配兆聲波（>1MHz）模塊，針對(duì)制程中的微小顆粒污染。

智能化與安全性并重

PLC觸控系統(tǒng)：預(yù)設(shè)工藝參數(shù)，支持?jǐn)?shù)據(jù)記錄與追溯（符合SEMI S2/S8標(biāo)準(zhǔn)）。

安全防護(hù)：PFA槽體耐腐蝕，防爆電氣設(shè)計(jì)，緊急排液功能防止化學(xué)泄漏。

二、應(yīng)用場(chǎng)景

集成電路制造：清洗8英寸晶圓表面的光刻膠殘留、蝕刻后氧化物及金屬污染。

功率器件（IGBT、MOSFET）：去除外延片顆粒與有機(jī)物，提升器件可靠性。

MEMS與傳感器生產(chǎn)：清潔微結(jié)構(gòu)表面，保障器件性能一致性。

科研與教學(xué)：實(shí)驗(yàn)室級(jí)8英寸晶圓清洗實(shí)驗(yàn)，支持表面分析前處理。

三、設(shè)備價(jià)值

8英寸槽式清洗設(shè)備通過(guò)“化學(xué)腐蝕+物理清洗+智能控制”的協(xié)同，實(shí)現(xiàn)高效、無(wú)損、高均勻性的清洗效果。其緊湊設(shè)計(jì)（節(jié)省廠房空間）、低運(yùn)維成本（化學(xué)液循環(huán)利用率＞70%）及兼容多種工藝的特點(diǎn)，使其成為8英寸半導(dǎo)體產(chǎn)線的理想選擇，助力客戶提升良率、降低缺陷率，在競(jìng)爭(zhēng)中搶占先機(jī)。