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-如何評估IGBT模塊在系統(tǒng)中的應(yīng)用-華科智源

時間:2019/4/21閱讀:1747
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進行逆變器設(shè)計時,IGBT模塊的開關(guān)損耗評估是很重要的一個環(huán)節(jié)。而常見的損耗評估方法都是采用數(shù)據(jù)手冊中IGBT或者Diode的開關(guān)損耗的典型值,這種方法缺乏一定的準確性。本文介紹了一種采用逆變器系統(tǒng)的驅(qū)動板和母排對IGBT模塊進行損耗測試和評估的方法,通過簡單的操作即可得到更的損耗評估。

一般數(shù)據(jù)手冊中,都會給出特定條件下,IGBT及Diode開關(guān)損耗的典型值。一般來講這個值在實際設(shè)計中并不能直接拿來用。在英飛凌模塊數(shù)據(jù)手冊中,我們可以看到,開關(guān)損耗典型值前面,有相當多的限制條件,這些條件描述了典型值測試平臺。而實際設(shè)計的系統(tǒng)是不可能和規(guī)格書測試平臺一模一樣的。兩者之間的差異,主要體現(xiàn)在如下幾個方面:

  • IGBT的開關(guān)損耗不僅僅依賴于驅(qū)動電阻,也依賴于驅(qū)動環(huán)路的電感,而實際用戶系統(tǒng)的驅(qū)動環(huán)路電感常常不同于數(shù)據(jù)手冊的測試平臺的驅(qū)動環(huán)路電感。
  • 驅(qū)動中加入柵極和發(fā)射極電容是很常見的改善EMC特性的設(shè)計方法,而使用該柵極電容會影響IGBT的開關(guān)過程中電流變化率dIc / dt和電壓變化率dVce / dt,從而影響IGBT的開關(guān)損耗
  • 實際系統(tǒng)的驅(qū)動電壓也常常不同于數(shù)據(jù)手冊中的測試驅(qū)動電壓,在IGBT模塊的數(shù)據(jù)手冊中,開關(guān)損耗通常在±15V的柵極電壓下測量,而用戶的驅(qū)動電壓有時也并非這個電壓數(shù)值。
  • 數(shù)據(jù)手冊通常會在較小的母排雜散電感下進行開關(guān)損耗測試,而實際系統(tǒng)的母排或者PCB的布局常常會存在比較大的雜散電感。

正因為實際系統(tǒng)的母排、驅(qū)動與數(shù)據(jù)手冊的標準測試平臺的母排、驅(qū)動存在著差異,才導致了直接采用數(shù)據(jù)手冊的開關(guān)損耗進行實際系統(tǒng)的損耗評估存在著一定的誤差。一種改善的方式是直接采用實際系統(tǒng)的母排和驅(qū)動來進行雙脈沖測試,IGBT模塊可以固定在一個加熱平臺上,而加熱平臺能夠調(diào)節(jié)到150℃并保持恒溫。

圖1給出了雙脈沖的測試原理圖,圖2給出了雙脈沖測試時的波形圖,典型的雙脈沖測試可以按照圖1和圖2 進行,同時需要注意將加熱平臺調(diào)整到一定的溫度,并等待一定時間,確保IGBT的結(jié)溫也到達設(shè)定溫度。

圖3給出了雙脈沖測試過程中,IGBT的開通過程和關(guān)斷過程的波形。損耗可以通過CE電壓和導通電流的乘積后的積分來獲得。需要注意的是電壓探頭和電流探頭需要匹配延時,否則會引起比較大的測試誤差。在用于數(shù)據(jù)手冊的測試平臺中,常見的電流探頭是PEARSON探頭,而實際系統(tǒng)的母排中,很難裝入PEARSON探頭,更多的采用Rogowski-coil。需要注意的是Rogowski-coil 的延時會比較大,而且當電流變化率超過3600 A/μs時,Rogowski-coil 會有比較明顯的誤差。關(guān)于測試探頭和延時匹配也可同儀器廠家確認。

圖3-1 IGBT關(guān)斷過程

DUT:FF600R12ME4; CH2(綠色)- VGE,CH 3(藍色)- ce,CH4(紅色)- Ic

圖3-2 IGBT開通過程

首先固定電壓和溫度,在不同的電流下測試IGBT的開關(guān)損耗,可以得出損耗隨電流變化的曲線,并且對曲線進行擬合,可以得到損耗的表達式。該系統(tǒng)的直流母線電壓小為540V,700V。而系統(tǒng)的IGBT的結(jié)溫的設(shè)計在125℃和150℃之間。分別在540V和700V母線電壓,及125℃和150℃結(jié)溫下重復上述測試,可以得到一系列曲線,如圖4所示。

圖4:在不同的電流輸入條件下,以電壓和溫度為給定條件的IGBT的開關(guān)損耗曲線

依據(jù)圖4給出的損耗測試曲線,可以依據(jù)線性等效的方法得到IGBT的開通損耗和關(guān)斷損耗在電流,電壓,結(jié)溫下的推導公式。

 

同理也可以得到Diode在給定系統(tǒng)的電壓,電流,結(jié)溫設(shè)計范圍內(nèi)的反向恢復損耗的推導公式:

圖5:在不同的電流輸入條件下,以電壓和溫度為給定條件的Diode反向恢復損耗曲線

雖然這里介紹的方法相對于采用IGBT數(shù)據(jù)手冊的開關(guān)損耗典型值提供了一些改進,但仍存在一些缺點,比如在非常低的電流時,損耗會有一定的誤差,這可以通過采用非線性模型或多級的電流線性模型來優(yōu)化。

通過采用實際系統(tǒng)的驅(qū)動和母排進行雙脈沖測試,在系統(tǒng)設(shè)計的電壓,電流和溫度范圍內(nèi),可以得到比采用數(shù)據(jù)手冊的典型值更準確的損耗評估。

關(guān)鍵字: IGBT測試儀   IGBT模塊測試儀 IGBT模塊損耗

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