邊緣濕法刻蝕設(shè)備 參考價(jià)：面議
盛美上海的邊緣濕法刻蝕設(shè)備支持多種器件和工藝，包括3D NAND、DRAM和先進(jìn)邏輯工藝，使用濕法刻蝕方法來去除晶圓邊緣的各種電介質(zhì)、金屬和有機(jī)材料薄膜，以及顆...
前道涂膠顯影設(shè)備 參考價(jià)：面議
盛美上海的前道涂膠顯影設(shè)備支持Arf工藝，未來可拓展至i-line、KrF等光刻工藝，可滿足半導(dǎo)體集成電路制造商的光刻工藝需求。
PECVD設(shè)備 參考價(jià)：面議
盛美上海的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備可應(yīng)用于SiO2, SiNx, Carbon，NDC薄膜沉積工藝， 未來可以擴(kuò)展至單片式PEALD薄膜沉積工...
單晶圓清洗設(shè)備 參考價(jià)：面議
盛美的Ultra C單晶圓清洗系列可廣泛應(yīng)用于先進(jìn)集成電路制造中多種前段工藝（FEOL）和后段工藝（BEOL）,可跟據(jù)不同應(yīng)用配備不同化學(xué)藥液與輔助清洗方式，也...
背面清洗設(shè)備 參考價(jià)：面議
盛美的背面清洗設(shè)備可用于晶圓背面清洗或者濕法刻蝕工藝， 同時(shí)通過伯努利夾盤為晶圓背面提供氮?dú)獗Ｗo(hù)。 該設(shè)備可廣泛應(yīng)用于集成電路制造和晶圓級(jí)封裝領(lǐng)域。
SAPS兆聲波清洗設(shè)備 參考價(jià)：面議
盛美*技術(shù)——空間交變相位移(SAPS™)技術(shù)，通過控制兆聲波清洗裝置與晶圓的間距隨兆聲波相位的變化，來實(shí)現(xiàn)兆聲波在晶圓表面的均勻分布，以達(dá)到化的清...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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