主要優(yōu)勢(shì)

用于晶圓邊緣多種不同疊加薄膜層的刻蝕清洗，提高先進(jìn)工藝的晶圓邊緣良率

高刻蝕精度，刻蝕寬度大小可調(diào)

自主技術(shù)可做到更精準(zhǔn)高效的晶圓對(duì)準(zhǔn)，控制精度高、均勻性高，可實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)邊緣刻蝕

高產(chǎn)能，低化學(xué)品消耗

設(shè)備和工藝可擴(kuò)展至10nm以下工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)

對(duì)下層材料刻蝕具有高選擇比，對(duì)晶圓無(wú)損傷的特點(diǎn)

出色的晶圓邊緣清洗能力，更好的顆?？刂?/p>

可靈活應(yīng)用于多種襯底材料，包括重?fù)诫s片、Bonding 片、超薄片等

特性和規(guī)格

適用于12寸晶圓邊緣清洗

最多可配置4個(gè)Lord Port

可配置12個(gè)工藝腔體

真空夾盤(pán)對(duì)晶圓進(jìn)行夾持

可對(duì)晶圓正背面邊緣進(jìn)行清洗，最多可配備5種藥液進(jìn)行清洗工藝

每個(gè)腔體均配置高精度的晶圓對(duì)中單元

可配置高精度的晶圓邊緣檢測(cè)單元