上海巨納科技有限公司
會(huì)員1.png)
暫無(wú)信息 |
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：PET基底石墨烯 Graphene on PET表面電阻：小于600Ω/sq定做：＜300Ω/sq透明度：gt; 95%
產(chǎn)品型號(hào)：1*1cm所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：銅基底石墨烯（進(jìn)口） Graphene on Copper Foil制備方法：氣相沉積法化學(xué)氣相沉積石墨烯層：1/2/3~5/6~8尺寸：可定制
產(chǎn)品型號(hào)：2*2'' 單層所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Natural MoS2 is an indirect gap semiconductor （1.2 eV） but becomes highly l...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Tungsten disulfide （2H-WS2） crystals are extremely rare in nature and are l...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：一步轉(zhuǎn)移石墨烯（進(jìn)口/1*1cm單層） Trivial Transfer Graphene
產(chǎn)品型號(hào)：1*1cm單層所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Zirconium disulfide （ZrS?） is an indirect gap layered semiconductor in the ...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：一步轉(zhuǎn)移石墨烯（5*5cm單層） Trivial Transfer Graphene
產(chǎn)品型號(hào)：5*5cm單層所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Zirconium disulfide （ZrS?） is an indirect gap layered semiconductor in the ...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：More than a decade of growth optimization in chemical vapor transport （CVT）...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：99% environmentally stable metallic NbS2 （niobium disulfide） crystals: NbS2...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Anisotropic transition metal trichalcogenide material TiS3 is available at ...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：ZrSiS as a theoretically predicted and experimentally proven Dirac semimeta...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Gamma layered phase of In2S3 is a direct gap semiconductor with an optical ...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：NiPSe3 is a quasi-two-dimensional antiferromagnet in the bulk form while it...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：14 years of growth optimization in chemical vapor transport （CVT） as well a...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Natural MoS2 is an indirect gap semiconductor （1.2 eV） but becomes highly l...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Our TiS2 crystals are stabilized in 1T ohase （semimetallic phase）.
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：14 years of growth optimization in chemical vapor transport （CVT） as well a...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Hafnium disulfide （HfS?） is an indirect gap layered semiconductor in the bu...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Single crystal ReS? （Rhenium disulfide） crystals are developed at our facil...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-10 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
環(huán)保在線 設(shè)計(jì)制作，未經(jīng)允許翻錄必究 .? ? ?
請(qǐng)輸入賬號(hào)
請(qǐng)輸入密碼
請(qǐng)輸驗(yàn)證碼
